Кристальное производство

Основой  современного производства изделий электроники является изготовление кремниевых чипов на wafer fab. АО «ЗНТЦ» располагает высокотехнологичным wafer fab c комплексом оборудования замкнутого цикла от маркировки исходных пластин до заключительных измерительных и испытательных процессов. Оборудование инсталлировано ведущими мировыми производителями, такими как английская компания «SPTS», японская «ULVAC», американская «Teradyne» и др. Гарантией надежности и качества выполняемых процессов является наличие комплексной инженерной инфраструктуры и отлаженное сервисное обслуживание. 

Производственный комплекс (Wafer fab) АО "ЗНТЦ" обладает полным набором оборудования и отработанными технологическими процессами для создания КМОП и МЭМС.

Основные параметры производственной линии следующие:

- диаметр пластин 6 дюймов (150 мм), в процессе комплектование технологической линии и постановка производства на пластинах 8 дюймов (200 мм);

- площадь чистых производственных помещений (clean room) – 450 кв.м.

- классы чистоты в clean room — 10, 100, в технической зоне обслуживания — 10000.

- минимальная проектная норма (разрешение фотолитографии) 0,6мкм и 0,25 мкм, осуществляется реализация проекта развития уровня технологии 0,13 мкм.

- производительность линии КМОП пластин 600 пластин в месяц.

- современная инженерная инфраструктура.

- общая площадь офисных и производственных помещений - 2 255 м².

Характеристика производственных участков wafer fab:

На мощностях кристального производства изделий нано- и микросистемной техники АО «ЗНТЦ» возможно как выполнение полного комплекса услуг по разработке и производству изделий микроэлектроники, так и реализация отдельных технологических операций:

• фотолитография: площадь участка - 54м², класс чистоты 100.

• химическое травление и очистка (wet): площадь участка - 70м², класс чистоты 100.

• диффузия: площадь участка 37м², класс чистоты 100.

• плазмохимическое травление: площадь 10м² , класс чистоты 100.

• вакуумное напыление пленочных покрытий (PVD): площадь участка 30м², класс чистоты 100.

• имплантация: площадь участка 12м² , класс чистоты 100.