Уникальные возможности
Технология атомно-слоевого осаждения Мультитехнологичность комплекса ЗНТЦ позволяет обеспечить постановку уникальных технологических процессов с использованием различных типов металлизации.
Технология атомно-слоевого осаждения (ALD) является одним из важных процессов кристального производства, используется для нанесения тонких одноатомных проводящих и диэлектрических слоев с очень высоким конформным заполнением рельефа поверхности образцов.
Атомно-слоевое осаждение представляет собой поверхностно-контролируемый и самоограниченный метод нанесения пленок в газовой фазе, который позволяет создавать тонкие покрытия, обладающие 100 % однородностью и конформностью наряду с отсутствием дефектов, трещин и микроканалов. Данный метод позволяет напылять плёнки как на поверхности, имеющие большие площади, так и на подложки, обладающие особенностями рельефа на нано-масштабах (например, углубления со сверхвысоким соотношением геометрических размеров и пористые образцы с высокой извилистостью каналов).
Метод АСО позволяет наносить нанослои оксидов металлов, нитридов, сульфидов, фторидов и металлических (включая благородные металлы) покрытий, наноламинатов, ступенчатых слоев, смешанных оксидных и допированных тонких плёнок.
Полупроводниковая промышленность и производство интегральных схем, МЭМС/НЭМС, сенсоры, оптика и оптоэлектроника, производство катализаторов, технологии чистой и возобновляемой энергии, защита от коррозии, декоративные покрытия и плёнки, предотвращающие потускнение, очистка воды и инновационные упаковочные материалы – далеко не полный список широкого спектра приложений, в которых возможно использование метода АСО.
Технология атомно-слоевого осаждения (ALD) является одним из важных процессов кристального производства, используется для нанесения тонких одноатомных проводящих и диэлектрических слоев с очень высоким конформным заполнением рельефа поверхности образцов.
Атомно-слоевое осаждение представляет собой поверхностно-контролируемый и самоограниченный метод нанесения пленок в газовой фазе, который позволяет создавать тонкие покрытия, обладающие 100 % однородностью и конформностью наряду с отсутствием дефектов, трещин и микроканалов. Данный метод позволяет напылять плёнки как на поверхности, имеющие большие площади, так и на подложки, обладающие особенностями рельефа на нано-масштабах (например, углубления со сверхвысоким соотношением геометрических размеров и пористые образцы с высокой извилистостью каналов).
Метод АСО позволяет наносить нанослои оксидов металлов, нитридов, сульфидов, фторидов и металлических (включая благородные металлы) покрытий, наноламинатов, ступенчатых слоев, смешанных оксидных и допированных тонких плёнок.
Полупроводниковая промышленность и производство интегральных схем, МЭМС/НЭМС, сенсоры, оптика и оптоэлектроника, производство катализаторов, технологии чистой и возобновляемой энергии, защита от коррозии, декоративные покрытия и плёнки, предотвращающие потускнение, очистка воды и инновационные упаковочные материалы – далеко не полный список широкого спектра приложений, в которых возможно использование метода АСО.
Область применения метода АСО | Роль метода АСО | Материал(ы) для АСО |
Головки чтения
для жестких дисков | Создание пассивирующего слоя
| Аl2O3
|
Устройства/процессы
МЭМС (MEMS) | Слои, предотвращающие процесс
травления | Аl2O3 |
| Защитные слои
| Аl2O3 |
| Антистикционные слои
| TiO2
|
| Гидрофобные слои
| Аl2O3 |
| Адгезивные слои
| Аl2O3 |
| Слои, уменьшающие трение и износ
| Аl2O3, TiO2 |
| Слои, предотвращающие короткое
замыкание | Аl2O3 |
| Зарядно-рассеивающие слои
| ZnO:Al
|
КМОП (CMOS)
| Изолирующие слои затворов,
обладающие высокой диэлектрической постоянной k | HfxSiyO, HfO2, Та2O5,
ZrO2, TiO2 |
| Контактные электроды
| TaCxNy
|
Память
| Ферроэлектрические материалы
| HfO2
|
| Парамагнитные материалы
| Gd2O3, Еr2O3, Dy2O3, Но2O3
|
| Немагнитные соединения
| Ru, Ir
|
| Электроды
| Благородные металлы
|
Сенсоры
| Пассивация считывающих головок
| SiO2, Аl2O3
|
Технология 3D
| VIA TSV
| Cu, Ru, TiN
|
Медицинские применения
| Биосовместимые материалы
| TiO2
|
Плоские
электролюминесцентные дисплеи (FPELD) | Светоизлучающие и
пассивирующие слои | Допированный (марганцем,
эрбием и пр.) сульфид цинка ZnS (светоизлучающий слой) и Аl2O3 (пассивирующий слой) |
Солнечные элементы
на основе кристаллического кремния | Пассивация поверхности
| Аl2O3
|
Тонкопленочные солнечные
элементы с использованием CIGS | Буферные слои
| ZnxMnyO |
| Прозрачные проводящие
слои оксидов (ТСО) | ZnO: Аl
|
Защита от коррозии
| Поверхностный слой
для защиты от коррозии | Та2О5, Аl2O3
|
Мембраны для очистки воды
| Антибактериальные слои
| ZnO, TiO2
|
Пригодные для переработки
бумажные/картонные упаковочные материалы | Диффузионные барьеры
для газов/влаги | Аl2O3
|
Топливные элементы
| Катализатор
| Pd, Pt, Rh
|
Применение в оптике
| Отражающие покрытия
для микроканальных пластин (рентгеновская оптика) | Ir
|
| Линзы для рентгеновской оптики
| Ir |
Пленки, предотвращающие
потускнение | Защита изделий из золота
и серебра от потускнения со временем | Al2O3, TiO2
|
Подсветка, освещение
| Пассивация органических
светодиодов (OLED) | Al2O3
|
Пленки с низким показателем
преломления n на стекле |
| MgF2, SiO2
|
Пленки с высоким показателем
преломления n на стекле |
| ZnS, TiO2, Ta2O5,
HfO2, ZrO2 |
Просветляющие покрытия
|
| TiO2
|
Упрочнение стеклянных
поверхностей | Слои, предотвращающие
появление трещин на стекле | SiO2
|