Каталог
изделий
микроэлектроники
и микросистемной
техники

О компании

Деятельность наноцентра ориентирована в первую очередь на создание современной элементной базы микроэлектроники для радиоэлектронной промышленности, которая является одним из стратегически важных высокотехнологичных секторов экономики страны, обеспечивающих разработку и производство современной высокотехнологичной продукции, уровень которой во многом определяет экономическую, технологическую, информационную самостоятельность России.

В свою очередь, технологии микроэлектроники являются катализатором научно-технического прогресса страны и базисом для устойчивого развития других отраслей промышленности.


Контакты

Телефон: +7 (499) 720-69-44

E-mail: sales@zntc.ru

124527, Москва, Зеленоград, ул. Солнечная аллея, д.6., помещение IX, офис 17

Спецификация

АО «ЗНТЦ» осуществляет разработку и производство датчиков и сенсоров физических величин, интегральной оптики и фотонной компонентной базы для построения интеллектуальных систем управления:

Каталог
изделий
Датчики положения
Исполнение в металлокерамическом корпусе Н18.64-2В

К1382НМ015

СБИС магнитного энкодера положения

Назначение

Микросхемы предназначены для преобразования синусно-косинусного сигнала от различных датчиков положения в линейный цифровой код, соответствующий фазе синусно-косинусного сигнала (производит вычисление арктангенса от входных сигналов).

Принцип действия

Для обработки сигналов с датчика положения микросхема имеет 2 канала преобразования, включающие в себя программируемые дифференциальные усилители А1, А2 и сигма-дельта модуляторы SDM1, SDM2. С выхода модуляторов сигнал поступает на цифровой блок DEM, обеспечивающий квадратурную демодуляцию, децимацию и интерполяцию входного сигнала с разрешением до 16 бит и временем преобразования 500 нс. Фильтр-дециматор обеспечивает программируемую децимацию от 32 до 4096 отсчетов. Для минимальной децимации полоса сигнала составляет 62.5 кГц.
Отфильтрованный и демодулированный сигнал поступает на блок CORR, обеспечивающий коррекцию сигнала, в том числе компенсацию температурного дрейфа напряжений смещения входных сигналов по встроенному датчику температуры TEMP, независимо для каждого канала, подстройку коэффициентов усиления каналов, компенсацию фазового сдвига между каналами.
Скорректированный сигнал поступает на следящий преобразователь TRCV, преобразующий входной сигнал в код положения с разрешением от 13 до 16 бит. Далее код положения корректируется в зависимости от установок пользователя в блоке POSCV, производится подсчет количества оборотов счетчиком MTURN и скомбинированный код положения поступает на схемы интерфейсов.
Настройки микросхемы сохраняются во внешней энергонезависимой памяти EEPROM с интерфейсом I2C. Рекомендуемый тип памяти 1644РС2Т.

Основные характеристики

Погрешность координат смены значений кода, Е2: ед.мл.рз. не более 10
Программируемый реверсивный счётчик оборотов: Об. до 1024
Ток нагрузки цифровых выходов, мА: IIO не более 4,0
Выходное напряжение по аналоговому выходу, В: Uo 0,25…4,75
Разрешение встроенного датчика температуры, ºС: REST не более 2
Диапазон подстройки фазового сдвига синусно-косинусного сигнала, градусы: Δφ0 - 30 … +30
Максимальная рабочая частота интерфейса SPI, МГц: fspi не менее 2
Амплитуда выходного напряжения синтезатора (дифференциальная), В: Uo.syn_max не менее 1,2
Напряжение питания, В: UCC 4,5 … 5,5
Ток потребления, мА: ICC 15
Выходной ток питания внешнего чувствительного элемента (при Rн=100 Ом), мА: Io.sens 1…4
Диапазон рабочих температур, °С. Т -0 … +120

К1382НМ025

БИС магнитного энкодера положения

Назначение

Микросхема предназначена для использования в составе датчиков углового положения валов (энкодерах) для реализации схем диагностики и управления прецизионными устройствами и механизмами.

Принцип действия

Микросхема производит вычисление кода положения магнита, расположенного на торце вала, относительно встроенной сенсорной системы датчиков положения*.

Сигналы датчиков автоматически поддерживаются на необходимом уровне для обеспечения устойчивой работы в диапазоне расстояний между корпусом микросхемы и вращающимся магнитом.

Нормированные сигналы поступают на преобразование в АЦП. Вычисленный код положения представляется в виде набора стандартных цифровых и аналоговых интерфейсов передачи данных.

Параметры настройки микросхемы хранятся в однократно программируемой памяти OTP-ROM. При настройке микросхемы, вначале конфигурация отлаживается с помощью записи параметров в область энергозависимых регистров, а затем, отлаженная прошивка записывается в область OTP-ROM.



* Возможно подключение к БИС сигнала с внешних синусно-косинусных сенсорных датчиков.

Основные характеристики

Диапазон измеряемых углов: 0…360°;
Программируемый счетчик оборотов: 10 разрядный (до 1024 об.);
Максимальная скорость вращения1: до 60 тыс. об/мин;
Разрядность вычисления кода: 12 бит; (4096 отчётов на оборот);
Угловое разрешение: 0,09° (5,3 угл. мин.);
Время преобразования: 250 нс;
Ошибка преобразования: ± 0,35°;
Напряжение электропитания2:: + 5 В ±10%;
Ток потребления: 30 мА;
Диапазон рабочих температур: - 60… +125°C.
1 - Максимальная скорость вращения может быть ограничена быстродействием используемого выходного интерфейса. 2 - Возможно использование напряжение питания +3,3 В.
Исполнение в пластмассовом корпусе PQFN-6x6-40

К1382НМ035

СБИС преобразователя сигналов датчиков углового положения (сенсорная система на кристалле)

Назначение

Микросхема предназначена для создания компактных быстродействующих датчиков углового положения. Микросхема выполняет преобразование положения магнитного поля кольцевого магнита относительно встроенной сенсорной системы в код и в виде стандартных аналоговых интерфейсов.

Принцип действия

С помощью двух встроенных сенсорных систем на элементах Холла микросхема преобразует сигнал от намагниченного многополюсного кодового кольца (или линейки) в цифровой код абсолютного положения. При использовании кодового диска с двумя дорожками, с разным количеством полюсов, достигается высокое общее разрешение преобразования. Микросхема обеспечивает возможность использования кодовых магнитных носителей с разным количеством полюсных пар (до 64) и разной длины полюсной пары.
Микросхема имеет встроенную автоматическую регулировку усиления (АРУ) при изменении расстояния между магнитом и микросхемой.
Для компенсации ошибки преобразования, вызванной неточностями сборки датчика положения, микросхема имеет встроенный блок линеаризации кода положения
Настройки микросхемы хранятся во внешней микросхеме EEPROM с I2C интерфейсом (типа 24LC01 и аналогичные).
Настройка (программирование) микросхемы производится через интерфейсы SPI или OWI.

Основные характеристики

Максимальное выходное напряжение выходов ШИМ интерфейса, В не менее 0,9∙UСС
Максимальное выходное напряжение выходов ШИМ интерфейса, В Минимальное выходное напряжение выходов ШИМ интерфейса, В не более 0,1∙UСС
Выходное напряжение низкого уровня на выводах MISO, PO3, PO4, В не более 0,4
Выходное напряжение высокого уровня на выводах MISO, PO3, PO4, В не менее 2,4
Ток потребления микросхемой, мА (без нагрузки) не более 50
Частота тактового генератора, МГц не менее 50
Максимальная частота слежения, кГц не менее 2
Максимальная частота интерфейса SPI/SSI, МГц не менее 4
Максимальная частота ШИМ интерфейса, кГц не менее 20
Разрешение по угловому положению отсчетов на одну полюсную пару, бит не менее 12
Максимальная информационная емкость, натур. ед * не менее 216 / не более 217
Ошибка преобразования, градус (с включенной и настроенной линеаризацией) * - 0,2 ... + 0,2
Минимальное амплитудное значение индукции магнитного поля, мТ не более 5
Задержка распространения сигнала, мкс не более 50
Диапазон рабочих температур °С - 40 ... +125
Тип корпуса 5153.64-2

К1382НМ055

СБИС обработки нониусных сигналов

Назначение

Микросхема предназначена для создания прецизионных датчиков углового положения с многоканальной (2÷3) кодовой шкалой, выполненной с использованием нониусного принципа с целью снижения погрешности дискретизации.

Принцип действия

Микросхема выполняет обработку угловой информации от синусно-косинусных сенсоров каждого из 3-х каналов по отдельности;
- мастер-канала,
- нониус-канала,
- сегмент-канала
с разрешением 4…13 бит (задаётся программно), и последующую сшивку данных с получением выходного кода положения.
Микросхема обеспечивает работу с количеством периодов сигнала мастер тре-ка в диапазоне от 16 до 4096. Количество периодов мастер-трека должно быть кратно степени 2. В случае двух кодовых шкал используется канал 1 и канал 2.
Микросхема содержит встроенный счетчик оборотов с программируемым модулем счета разрядностью 24 бит.

- Данные угла и данные о числе оборотов выдаются по протоколу SSI в бинарном коде или коде Грея.
- Код температуры кристалла с разрешением 9 бит может быть считан по интерфейсу SPI/SSI.
- Аналоговый выход обеспечивает вывод наружу аналоговых сигналов с выхода аналогового тракта.
- Для хранения параметров настроек микросхемы используется внешняя микросхема EEPROM с интерфейсом I2C. Рекомендуемый тип памяти 1644РС2Т (возможно использование 24С02).

Основные характеристики

Разрешение преобразования 4…13 бит
Полоса пропускания аналогового тракта не менее 150 кГц
Разрешение после нониусного преобразования не менее 21 бит
Время преобразования не более 250 нс
Программируемый счетчик оборотов 24 бит
Частота интерфейса SPI 4 МГц
Напряжение электропитания + 5 В ±10%
Ток потребления не более 50 мА
Ток нагрузки цифровых выходов не более 4 мА
Диапазон рабочих температур - 45… +125°C
СБИС Аналого-цифровые преобразователи
Тип корпуса 5122.24-2 / Ceramic-Metal Package 5122.24-2

К1382НХ045

СБИС преобразователя фазы квадратурного сигнала в код положения

Назначение

Микросхема предназначена для работы с внешним магниторезистивным датчиком (типа KMZ41 или аналогичным), а также для работы с любыми типами датчиков положения с синусо-косинусным выходом, амплитуда выходного сигнала которых находится в пределах рабочего диапазона входных интерфейсов микросхемы.

Принцип действия

Микросхема содержит входные дифференциальные усилители с программируемым коэффициентом усиления. С выхода усилителей сигнал поступает на 13-ти битные сигма-дельта АЦП с временем преобразования 16 мкс.
С выхода АЦП сигнал поступает на блок цифровой обработки, осуществляющий вычисления кода углового положения. Вычисленное значение угла может быть считано в виде кода по интерфейсу SSI, а также представлено в виде линейного аналогового сигнала на выходе АЦП или однопроводного сигнала OWI. Совмещённого с аналоговым выходом.
Микросхема имеет встроенную диагностику амплитуды входного сигнала, а также имеет встроенный блок АРУ, позволяющий привести амплитуду сигнала на входе АЦП к заданному уровню путем коррекции коэффициента усиления входных усилителей.
Хранение данных осуществляется во встроенной EEPROM. Настройка микросхемы производиться как по интерфейсу SPI, так и по однопроводному интерфейсу OWI, совмещенному с аналоговым выходом.

Основные характеристики

Разрешение преобразования, бит: 13 ... –
Электрическое разрешение, градус: не более 0,04
Угловая ошибка: -1,35 ... +1,35
Напряжение питания , В: 4,5 ... 5,5
Ток потребления микросхемой, мА (без нагрузки): – ... 13
Время преобразования, мкс: 16 ... –
Ток нагрузки цифровых выходов, мА: не более 4
Ток нагрузки аналогового выходов, мА: – ... 2
Емкость нагрузки аналогового выхода, нФ: 1 ... 10
Ток встроенного источника тока (для питания внешнего сенсора), мА: 0,5 ... 4,6
Частота интерфейса SPI/SSI, МГц: 2 ... 4
Диапазон рабочих температур, °С: -60 ... +125
Тип корпуса ИДЯУ.301176

К1382НХ065

Микросхема преобразователя магнитного поля

Назначение

Микросхема предназначена для контроля угла поворота в системах управления подвижными объектами и является аналогом изделий иностранного производства, - сенсоров KMZ41, KMZ49 производства фирмы "NXP" (Нидерланды), HMC1512 "Honeywell" (США), .АA747 “Sensitec” (Германия) , КМТ32В “Measurement Speciallities” (США).
Технические условия АЕНВ.431320.441.ТУ

Принцип действия

Микросхема выполняет преобразование магнитного поля, вращающегося в плоскости микросхемы, в два синусно-косинусный сигнала, которые позволяют затем определить угол поворота поля по формуле
φ = 1/2(arctg(U1/U2))
Преобразование осуществляется с помощью восьми анизотропных тонкопленочных магниторезисторов включенных в два моста повернутых один относительно другого на 45º.

Основные характеристики

Напряжение питания 5…10 В
Амплитуда выходного напряжения не менее 75 мВ при U = 5 В
Сопротивление одного моста 2,5…3,5 кОм
Напряжение смещения ±1,5 мВ/В
Гистерезис выходного напряжения, не более 0,1 %
Синхронизм выходных сигналов 99…101 %
Диапазон измеряемых углов 0…180 º
Температурный коэффициент выходного напряжения, не более 0,35 %/°C при U = 5В и 0,13 %/°C при I = 2мА
Температурный коэффициент напряжения смещения ±2 (мкВ/В) /ºC
Температурный коэффициент сопротивления одного моста 0,28 %/°C
Диапазон рабочих температур: - 60…+125С.
Вращающееся планарное магнитное поле не менее 25 кА/м
Микросхема обладает высокой стойкостью к воздействию спецфакторов
Микросхема поставляется в металлокерамическом корпусе МК 5222.8-В, по габаритным размерам
аналог SO 8 (по размерам аналог SO 8)
Тип корпуса 5122.24-2 / Ceramic-Metal Package 5122.24-2

К5201ТК015

Программируемый преобразователь ёмкости в напряжение

Назначение

Микросхема предназначена для применения в адиоэлектронной аппаратуре в качестве преобразователя изменения емкостей элемента мостового дифференциального типа в нормированное значение электрического напряжения для измерителей линейного ускорения. Может использоваться в микроэлектромеханических системах (МЭМС), в олупроводниковых емкостных датчиках ускорений.

Принцип действия

Чувствительный элемент сенсора представляет собой две емкости (С1 и С2) включенные между выводами VC1 и VC2 дифференциального входа и средней точкой VC0.
Конструкция сенсора может быть такова, что при наличии физического воздействия на сенсор одна из емкостей (например, С1) увеличивается, а другая (С2) в противофазе к ней ─ уменьшается.
Микросхема преобразовывает изменение отношения входных емкостей в выходное напряжение на аналоговом выходе U. Возможно использование недифференциальных датчиков.
Для построения температурно независимых систем возможно использование встроенного датчика температуры.
Блоки микросхемы содержат программируемые резисторы и конденсаторы для подстройки параметров тракта преобразования. Подстройка осуществляется регистрами микросхемы через последовательный интерфейс SPI.

Основные характеристики

Диапазон измеряемых емкостей: 1,5÷120 пФ;
Максимальная разность емкостей сенсора, преобразуемая микросхемой: 50 пФ;
Диапазон выходного аналогового сигнала: 0.5 ÷ 4.5 В;
Ток нагрузки по цифровым выходам и выходу компаратора: не более ±2 мА;
Нелинейность характеристики преобразования: не более 5 %;
Опорное напряжение: 1,14÷1,26 В;
Рабочая частота измерительных усилителей: 110 кГц;
Напряжение питания: +5 В ±10%;
Ток потребления: не более 10 мА;
Диапазон рабочих температур: -60…125°С.
Тип корпуса 5122.24-2 / Ceramic-Metal Package 5122.24-2

К1382НУ015

БИС датчика тока

Назначение

Микросхема предназначена для бесконтактного измерения магнитного поля тока (прямой и обратной полярности), в составе датчика тока, и выдачу выходного сигнала в виде стандартных интерфейсов. Возможно подключение внешней системы датчиков мостового типа.

Принцип действия

Микросхема выполняет измерение магнитного поля от печатного проводника с током, расположенным под керамическим корпусом микросхемы. Измерение осуществляется с помощью встроенной системы сенсоров, состоящей из четырех датчиков Холла. Микросхема усиливает входное напряжение, преобразует, и выдаёт сигнал на выходные интерфейсы.
Микросхема содержит встроенную систему коррекции температурной зависимости магниточувствительного элемента.
Программирование микросхемы производится через интерфейс SPI. Параметры настройки БИС хранятся в интегрированной энергонезависимой памяти (ЕEPROM).

Основные характеристики

Программируемая чувствительность по току: (от 30 до 300 мВ/А);
Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению по входам INP-INN: 31,1÷50,82 ед.;
Минимальный детектируемый ток: 100 мА (DC); 500 мА (AC)
Выходной ток питания внешнего чувствительного элемента: 1,45 ÷ 2 мА;
Полоса пропускания: 0÷50 кГц;
Дискретность преобразования: 12 бит;
Погрешность преобразования: ± 0,8 %;
Выходное напряжение выхода компаратора низкого уровня: не более +1 В;
Разрешающая способность измерения температуры кристалла: не более 2°С;
Ток нагрузки выхода компаратора (типа «открытый сток»): 30 мА;
Напряжение питания: + 5 B ± 10 %;
Ток потребления: не более 25 мА;
Диапазон рабочих температур: - 60…+125°С.
Тип корпуса 5122.24-2 / Ceramic-Metal Package 5122.24-2

К1382НХ055

Преобразователь ёмкость-напряжение

Назначение

Микросхема предназначена для применения, в качестве преобразователя емкостных характеристик внешнего сенсора в электрическое напряжение. Может использоваться в радиоэлектронной аппаратуре, микро-электромеханических системах (МЭМС), в полупроводниковых емкостных датчиках ускорений, давления.

Принцип действия

Чувствительный элемент сенсора представляет собой две емкости (С1 и С2) включенные между выводами VC1 и VC2 дифференциального входа и средней точкой VC0.
Конструкция сенсора может быть такова, что при наличии физического воздействия на сенсор одна из емкостей (например, С1) увеличивается, а другая (С2) в противофазе к ней ─ уменьшается.
Микросхема преобразовывает изменение отношения входных емкостей в выходное напряжение на аналоговом выходе U.
Возможно использование недифференциальных датчиков.
Для построения температурно-независимых систем возможно использование встроенного датчика температуры. Блоки микросхемы содержат программируемые резисторы и конденсаторы для подстройки параметров тракта преобразования. Подстройка осуществляется регистрами микросхемы через последовательный интерфейс SPI.

Основные характеристики

Диапазон измеряемых емкостей: 1÷100 пФ;
Диапазон выходного аналогового сигнала: 0,3 ÷ (Ucc-0.3) В;
Максимальный выходной ток: не более ±0,5 мА;
Выходное напряжение низкого уровня: не более 0,8 В
Выходное напряжение высокого уровня: не менее 2,8 В
Рабочая частота измерительных усилителей: 19…21 кГц;
Напряжение питания (Ucc): +3,3 В ±10%;
Ток потребления: не более 3 мА;
Диапазон рабочих температур: -60…+125°С.

К1913ВА025

СБИС согласования и обработки сигналов с прецизионных датчиков давления и температуры

Назначение

Микросхема предназначена для обработки входного аналогово сигнала, несущего информацию об измеряемой физической величине, усиления и оцифровки с осуществлением пересчета полученного значения в соответствии с коэффициентами, записанными в память микросхемы при калибровке. В зависимости от формы выходного сигнала происходит разделение на датчики с цифровым и аналоговым выходом.

Принцип действия

При изменении напряжения в плечах моста чувствительного элемента (датчика давления) сигнал передаётся на первый АЦП через усилитель (2…50 раз).
При изменении напряжения на температурном чувствитель-ном элементе сигнал передаёт-ся через усилитель на второй АЦП.
Каждый АЦП преобразует цифровой сигнал с обоих 18 разрядных дельта-сигма АЦП в код, который обрабатывается математическим сопроцессором с плавающей точкой одинарной точности и поступает в сигнальный процессор, где производится формирование данных для цифровых интерфейсов.

Встроенный источник тока, для питания преобразователей информации, обеспечивает ратиометрическое представление данных, так как источник тока, АЦП и ЦАП имеют общий источник опорного напряжения.
Встроенная энергонезависимая и оперативная память микросхемы позволяют реализовать любые алгоритмы обработки сигналов с чувствительных элементов

Основные характеристики

Количество АЦП 2
Разрешение АЦП 18 бит
Максимальное входное дифференциальное напряжение, В не более 0,4 В (при усилении в 2 раза)
Разрешение ЦАП 12 бит
Число разрядов ядра сигнального процессора 16
Объём флеш-памяти 8к х 32
Тактовая частота 2…10 МГц
Напряжение электропитания 3,3 В ±0,33
Ток потребления не более 1 мА
Диапазон рабочих температур - 60… +125°C
Энкодеры

ЭУПМ-360-М1

Энкодер углового положения магнитный

Назначение

Энкодер предназначен для формирования электрических сигналов (кодов), отображающих абсолютное угловое положение вала, и направление его вращения. Может применяться в системах управления электромеханическим оборудованием, требующих точной регистрации параметров вращения частей узлов и механизмов.

Принцип действия

На торце поворотного вала энкодера закреплён диаметрально намагниченный постоянный магнит. В непосредственной близости от магнита расположен датчик положения магнитного поля, интегрированный в корпус специализированной микросхемы. Микросхема усиливает и преобразует сигналы датчика положения магнтного поля в цифровой код. Вычисленный код положения представляется в виде набора стандартных цифровых и аналоговых интерфейсов передачи данных. При вращении вала микросхема позволяет определять текущее положение вала в любой момент времени, и направление его вращения. Вал вращающегося объекта и вал энкодера соединяют при помощи муфты.

Основные характеристики

Угловое разрешение: 5,3 угл. мин;
Количество отсчётов на оборот: 4096;
Ошибка измерения: не более ±0,5°;
Максимальная скорость вращения вала*: 10 тыс. об/мин;
Напряжение питания: +7…30 В;
Ток потребления: не более 30 мА;
Диапазон рабочих температур: - 40…+85°С;
Вес: 200 гр.
*скорость вращения может быть ограничена быстродействием используемого интерфейса.
ЭУПМ-360-М5

ЭУПМ-360-М5

Энкодер углового положения

Назначение

Энкодер предназначен для формирования электрических сигналов (кодов), отображающих абсолютное угловое положение вала, и направление его вращения. Может применяться в системах управления электромеханическим оборудованием, требующих точной регистрации параметров вращения частей узлов и механизмов.

Принцип действия

На торце поворотного вала энкодера закреплён диаметрально намагниченный постоянный магнит. В непосредственной близости от магнита расположен датчик положения магнитного поля, интегрированный в корпус специализированной микросхемы. Микросхема усиливает и преобразует сигналы датчика положения магнитного поля в цифровой код. Вычисленный код положения представляется в виде набора стандартных цифровых и аналоговых интерфейсов передачи данных. При вращении вала микросхема позволяет определять текущее положение вала в любой момент времени, и направление его вращения. Вал вращающегося объекта и вал энкодера соединяют при помощи муфты.

Основные характеристики

Угловое разрешение: 5,3 угл. мин;
Количество отсчётов на оборот: 4096;
Погрешность измерения угла: не более ±0,35°;
Максимальная скорость вращения вала*: 20 тыс. об/мин;
Напряжение питания: +5 ±10% В;
Ток потребления: 50 мА;
Диапазон рабочих температур: - 60…+125°С;
Изделия в перечне ЭКБ

К1382НМ035

СБИС преобразователя сигналов датчиков углового положения (сенсорная система на кристалле)

Назначение

Микросхема предназначена для создания компактных быстродействующих датчиков углового положения. Микросхема выполняет преобразование положения магнитного поля кольцевого магнита относительно встроенной сенсорной системы в код и в виде стандартных аналоговых интерфейсов.

Принцип действия

С помощью двух встроенных сенсорных систем на элементах Холла микросхема преобразует сигнал от намагниченного многополюсного кодового кольца (или линейки) в цифровой код абсолютного положения. При использовании кодового диска с двумя дорожками, с разным количеством полюсов, достигается высокое общее разрешение преобразования. Микросхема обеспечивает возможность использования кодовых магнитных носителей с разным количеством полюсных пар (до 64) и разной длины полюсной пары.
Микросхема имеет встроенную автоматическую регулировку усиления (АРУ) при изменении расстояния между магнитом и микросхемой.
Для компенсации ошибки преобразования, вызванной неточностями сборки датчика положения, микросхема имеет встроенный блок линеаризации кода положения
Настройки микросхемы хранятся во внешней микросхеме EEPROM с I2C интерфейсом (типа 24LC01 и аналогичные).
Настройка (программирование) микросхемы производится через интерфейсы SPI или OWI.

Основные характеристики

Максимальное выходное напряжение выходов ШИМ интерфейса, В не менее 0,9∙UСС
Максимальное выходное напряжение выходов ШИМ интерфейса, В Минимальное выходное напряжение выходов ШИМ интерфейса, В не более 0,1∙UСС
Выходное напряжение низкого уровня на выводах MISO, PO3, PO4, В не более 0,4
Выходное напряжение высокого уровня на выводах MISO, PO3, PO4, В не менее 2,4
Ток потребления микросхемой, мА (без нагрузки) не более 50
Частота тактового генератора, МГц не менее 50
Максимальная частота слежения, кГц не менее 2
Максимальная частота интерфейса SPI/SSI, МГц не менее 4
Максимальная частота ШИМ интерфейса, кГц не менее 20
Разрешение по угловому положению отсчетов на одну полюсную пару, бит не менее 12
Максимальная информационная емкость, натур. ед * не менее 216 / не более 217
Ошибка преобразования, градус (с включенной и настроенной линеаризацией) * - 0,2 ... + 0,2
Минимальное амплитудное значение индукции магнитного поля, мТ не более 5
Задержка распространения сигнала, мкс не более 50
Диапазон рабочих температур °С - 40 ... +125
Получить КП

Ваша заявка на получение КП для издения успешно отправлена.


↑ Наверх