Производство микросхем

АО «ЗНТЦ» оказывает услуги контрактного производства изделий микроэлектроники и микросистемной техники (МЭМС) полного цикла как для ведущих предприятий отрасли, так и для стартовых компаний, включая отработку технологий, изготовление опытных образцов и серийное производство.

Возможности

АО «ЗНТЦ» постоянно проводит технологическое дооснащения производства и повышение квалификации сотрудников для обеспечения высокого качества производства микросхем.

МЕМС

сенсоры

150 мм

диаметр пластин

0,6 - 0,35 мкм

проектные нормы

Полный цикл производства

Совокупность технологических маршрутов, реализуемых АО «ЗНТЦ», позволяет осуществлять полный цикл технологических услуг в области создания изделий микроэлектроники и микросистемной техники различного назначения так и по реализации отдельных технологических операций кристального производства (изготовления СБИС, МЭМС, систем на кристалле).

Услуги

Магниторезистивные датчики и преобразователи
МЭМС-датчики угловой скорости (гироскопы, акселерометры)
Элементы интегральной фотоники
Силовая электроника (GaN-HEMT, IGBT)
Pin-диоды, NMOS

l72yye4v6xgvk4im2u3ls7zq77zp2s9o/CRW_3991-1.png

Преимущества

Возможность снижения затрат клиента
на производство интегральных схем, изготовление MPW
- проектов, отработки технологий и тонкой
настройки некоторых параметров изделия.

Полностью российское производство
на всех этапах изготовления продукции, влючая
проектирование, изготовление фотошаблонов,
производство кристаллов микросхем и их испытания,
что обеспечивает изготовление доверенной электроники.

Технологические возможности

Бондинг - дебондинг
Контактная фотолитография
на пластинах Ø150 мм на установке с возможностью двухстороннего совмещения
Атомно-слоевое осаждение (ALD)
диэлектрических и проводящих покрытий, позволяющее формировать многокомпонентные плёнки с уникальными свойствами
Bosh-процесс глубокого травления Si
со скоростью до 15 мкм/мин
Проекционная фотолитография
масштабе 1:4 на степпере ASML 5500/300C
CVD и PECVD процессы
нанесения плёнок
SiO2, Si3N4, poly-Si
Плазмохимические безуходное травление
полупроводников, диэлектриков и металлов
Спреевая химическая обработка
в объёме раствора полупроводников, диэлектриков и металлов
Быстрый отжиг
для электрической активации имплантированной примеси и формирования силицида на поверхности активных Si- структур и ПКК
Ионное травление
металлических и неметаллических пленок таких как, железо, платина, сегнетоэлектрическая керамика и др.
Имплантация стандартных (B, P, As) ионов
диапазоне энергий от 20 до 200 кэВ с возможностью имплантации двухзарядных ионов на установке IMC-200. Диапазон доз: от 1х1011 до 1х1018 см-2.
PVD магнетронное нанесение проводящих
диэлектрических и сегнетоэлектрических покрытий с толщинами от 1нм до 1200нм
Газофазное травление
полупроводников и диэлектриков для удаления жертвенных слоёв в маршруте изготовления МЭМС
Спекание пластин для формирования КНИ структур

Мы всегда учитываем потребности клиентов и готовы работать над новыми интересными проектами для расширения производственных возможностей.

Ширкова Галина Анатольевна
Руководитель Кристального производства Зеленоградского нано центра

НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Для реализации кластера проектов в области силовой электроники на GaN(Si) , интегральной ФОТОНИКИ для телекоммуникаций создана новая технологическая инфраструктура, на базе которой развиваются инновационные проекты.

Среди клиентов предприятия радиоэлектронной промышленности, которые выступают заказчиками продукции и технологических услуг, а также малые и средние компании,

Получить коммерческое предложение

Оставьте свои данные и мы с Вами свяжемся

* Обязательные поля