Производство микросхем

АО «ЗНТЦ» оказывает услуги контрактного производства изделий микроэлектроники и микросистемной техники (МЭМС) полного цикла как для ведущих предприятий отрасли, так и для стартовых компаний, включая отработку технологий, изготовление опытных образцов и серийное производство.

Возможности

АО «ЗНТЦ» постоянно проводит технологическое дооснащения производства и повышение квалификации сотрудников для обеспечения высокого качества производства микросхем.
МЕМС
сенсоры
150 мм
диаметр пластин
0,6 - 0,35 мкм
проектные нормы
Полный цикл производства

Полный цикл производства

Совокупность технологических маршрутов, реализуемых АО «ЗНТЦ», позволяет осуществлять полный  цикл технологических услуг в области создания изделий микроэлектроники и микросистемной техники различного назначения так и по реализации отдельных технологических операций кристального производства (изготовления СБИС, МЭМС, систем на кристалле).
fxshgfjhx1.png

Услуги

  • МЭМС-магниторезистивные датчики и преобразователи
  • МЭМС-датчики угловой скорости (гироскопы, акселерометры)
  • Элементы интегральной фотоники
  • Силовая электроника (GaN-HEMT, IGBT)
  • Pin-диоды, NMOS
l72yye4v6xgvk4im2u3ls7zq77zp2s9o/CRW_3991-1.png

Преимущества

  • Возможность снижения затрат клиента
  • на производство интегральных схем, изготовление MPW
  • - проектов, отработки технологий и тонкой
  • настройки некоторых параметров изделия.

  • Полностью российское производство
  • на всех этапах изготовления продукции, влючая
  • проектирование, изготовление фотошаблонов,
  • производство кристаллов микросхем и их испытания,
  • что обеспечивает изготовление доверенной электроники.

Технологические возможности

  • Бондинг - дебондинг
  • Контактная фотолитография
    на пластинах Ø150 мм на установке с возможностью двухстороннего совмещения
  • Атомно-слоевое осаждение (ALD)
    диэлектрических и проводящих покрытий, позволяющее формировать многокомпонентные плёнки с уникальными свойствами
  • Bosh-процесс глубокого травления Si
    со скоростью до 15 мкм/мин
  • Проекционная фотолитография
    масштабе 1:4 на степпере ASML 5500/300C
  • CVD и PECVD процессы
    нанесения плёнок
    SiO2, Si3N4, poly-Si
  • Плазмохимические безуходное травление
    полупроводников, диэлектриков и металлов
  • Спреевая химическая обработка
    в объёме раствора полупроводников, диэлектриков и металлов
  • Быстрый отжиг
    для электрической активации имплантированной примеси и формирования силицида на поверхности активных Si- структур и ПКК
  • Ионное травление
    металлических и неметаллических пленок таких как, железо, платина, сегнетоэлектрическая керамика и др.
  • Имплантация стандартных (B, P, As) ионов
    диапазоне энергий от 20 до 200 кэВ с возможностью имплантации двухзарядных ионов на установке IMC-200. Диапазон доз: от 1х1011 до 1х1018 см-2.
  • PVD магнетронное нанесение проводящих
    диэлектрических и сегнетоэлектрических покрытий с толщинами от 1нм до 1200нм
  • Газофазное травление
    полупроводников и диэлектриков для удаления жертвенных слоёв в маршруте изготовления МЭМС
  • Спекание пластин для формирования КНИ структур
Мы всегда учитываем потребности клиентов и готовы работать над новыми интересными проектами для расширения производственных возможностей.
Ширкова Галина Анатольевна
Руководитель Кристального производства Зеленоградского нано центра

НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Для реализации кластера проектов в области силовой электроники на GaN(Si) , интегральной ФОТОНИКИ для телекоммуникаций создана новая технологическая инфраструктура, на базе которой развиваются инновационные проекты.

Среди клиентов предприятия радиоэлектронной промышленности, которые выступают заказчиками продукции и технологических услуг, а также малые и средние компании,

Получить коммерческое предложение

Оставьте свои данные и мы с Вами свяжемся

* Обязательные поля