Производство микросхем
АО «ЗНТЦ» оказывает услуги контрактного производства изделий микроэлектроники и микросистемной техники (МЭМС) полного цикла как для ведущих предприятий отрасли, так и для стартовых компаний, включая отработку технологий, изготовление опытных образцов и серийное производство.
Возможности
АО «ЗНТЦ» постоянно проводит технологическое дооснащения производства и повышение квалификации сотрудников для обеспечения высокого качества производства микросхем.МЕМС
сенсоры
150 мм
диаметр пластин
0,6 - 0,35 мкм
проектные нормы
Полный цикл производства
Совокупность технологических маршрутов, реализуемых АО «ЗНТЦ», позволяет осуществлять полный цикл технологических услуг в области создания изделий микроэлектроники и микросистемной техники различного назначения так и по реализации отдельных технологических операций кристального производства (изготовления СБИС, МЭМС, систем на кристалле).
Услуги
- Магниторезистивные датчики и преобразователи
- МЭМС-датчики угловой скорости (гироскопы, акселерометры)
- Элементы интегральной фотоники
- Силовая электроника (GaN-HEMT, IGBT)
- Pin-диоды, NMOS
Преимущества
- Возможность снижения затрат клиента
- на производство интегральных схем, изготовление MPW
- - проектов, отработки технологий и тонкой
- настройки некоторых параметров изделия.
- Полностью российское производство
- на всех этапах изготовления продукции, влючая
- проектирование, изготовление фотошаблонов,
- производство кристаллов микросхем и их испытания,
- что обеспечивает изготовление доверенной электроники.
Технологические возможности
-
Бондинг - дебондинг
-
Контактная фотолитографияна пластинах Ø150 мм на установке с возможностью двухстороннего совмещения
-
Атомно-слоевое осаждение (ALD)диэлектрических и проводящих покрытий, позволяющее формировать многокомпонентные плёнки с уникальными свойствами
-
Bosh-процесс глубокого травления Siсо скоростью до 15 мкм/мин
-
Проекционная фотолитографиямасштабе 1:4 на степпере ASML 5500/300C
-
CVD и PECVD процессыSiO2, Si3N4, poly-Si
нанесения плёнок -
Плазмохимические безуходное травлениеполупроводников, диэлектриков и металлов
-
Спреевая химическая обработкав объёме раствора полупроводников, диэлектриков и металлов
-
Быстрый отжигдля электрической активации имплантированной примеси и формирования силицида на поверхности активных Si- структур и ПКК
-
Ионное травлениеметаллических и неметаллических пленок таких как, железо, платина, сегнетоэлектрическая керамика и др.
-
Имплантация стандартных (B, P, As) ионовдиапазоне энергий от 20 до 200 кэВ с возможностью имплантации двухзарядных ионов на установке IMC-200. Диапазон доз: от 1х1011 до 1х1018 см-2.
-
PVD магнетронное нанесение проводящихдиэлектрических и сегнетоэлектрических покрытий с толщинами от 1нм до 1200нм
-
Газофазное травлениеполупроводников и диэлектриков для удаления жертвенных слоёв в маршруте изготовления МЭМС
-
Спекание пластин для формирования КНИ структур
Мы всегда учитываем потребности клиентов и готовы работать над новыми интересными проектами для расширения производственных возможностей.
Ширкова Галина Анатольевна
Руководитель Кристального производства Зеленоградского нано центра
Руководитель Кристального производства Зеленоградского нано центра
НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Для реализации кластера проектов в области силовой электроники на GaN(Si) , интегральной ФОТОНИКИ для телекоммуникаций создана новая технологическая инфраструктура, на базе которой развиваются инновационные проекты.
Среди клиентов предприятия радиоэлектронной промышленности, которые выступают заказчиками продукции и технологических услуг, а также малые и средние компании,
Получить коммерческое предложение
Оставьте свои данные и мы с Вами свяжемся
* Обязательные поля