Июль 2017
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
26 27 28 29 30 1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30
31 1 2 3 4 5 6

Вакансии

Технологические операции

Одним из значимых направлений деятельности АО «ЗНТЦ» является разработка и опытное производство микроэлектромеханических систем (МЭМС) на основе сенсоров физических величин, а также приборов и систем на их основе.

На мощностях кристального производства изделий нано- и микросистемной техники АО «ЗНТЦ» возможно как выполнение полного комплекса услуг по разработке и производству изделий микроэлектроники, так и реализация отдельных технологических операций.

Кристальное производство состоит из следующих участков:

На участке фотолитографии, где выполняется комплекс процессов физико-химической обработки кремниевых пластин: отмывка пластин, нанесение (спиновое и аэрозольное) и проявление фоторезистивной маски.

Установки контактной фотолитографии и совмещения позволяют проводить процесс контактного совмещения и экспонирования (существует возможность двухстороннего совмещения) кремниевых пластин диаметром до 150мм. Минимальный размер формируемого элемента топологии на кремниевой пластине — 600 нм.

Установка проекционной литографии ASML PAS 5500/300C для технологии 300нм  задействована по принципу замкнутого цикла в комплексе с одной из самых современных автоматизированных установок нанесения и проявления - ACT-8.

Для контроля линейных размеров и совмещения используется автоматический микроскоп высокого увеличения MueTec, который, перемещаясь в заданные точки на пластине с точностью 10мкм, измеряет контрольный элемент с автоматической отбраковкой. Для контроля дефектности осуществляется полное картирование пластины с классификацией дефектов размером от 1 мкм и автоматическая отбраковка не более 30 сек на пластину 150 мм.

Площадь участка - 54м2. Класс чистоты производственных помещений 100.

Участок химического травления и химической подготовки поверхности кремниевых пластин диаметром до 150мм.

Современное оборудование обеспечивает автоматическую подачу химических растворов на установки химического травления и отмывки поверхности кремниевых пластин. На установках химического травления производятся операции жидкостного травления слоев металлов и диэлектриков, анизотропного травления кремния, освежения (зачистки) поверхности кремния от естественного оксида кремния, очистки поверхности подложек от посторонних частиц и ионов металлов для дальнейшего проведения последующих технологических операций. На участке отмывки проводятся химические процессы отмывки кварцевой и металлической оснастки, а также полипропиленовой тары в отдельных ваннах.

Площадь участка - 70м2. Класс чистоты производственных помещений 100.

Участок диффузии/осаждения. Термические атмосферные установки позволяют проводить процессы окисления в сухом и влажном кислороде, а также процессы диффузии фосфора и низкотемпературного отжига.
Установки осаждения из газовой фазы LPCVD и PECVD позволяют проводить операции осаждения различных диэлектрических (SiO2, Si3N4, SiOxNy, SiO2 TEOS, ФСС, БФСС и др.) и полупроводящих слоев (поликремний), на кремниевую подложку.
Установка атомно-слоевого осаждения позволяет наносить тонкие одноатомные проводящие и диэлектрические слои с очень высоким конформным заполнением рельефа поверхности образцов (типичны толщины слоев 1-500 А0). Возможна постановка уникальных технологических процессов с использованием различных типов металлизации по техническому заданию заказчика.
Установки быстрых термических процессов позволяют проводить процессы быстрого отжига, оксидирования и нитридизации, а также проводить процессы активации примесей. Равномерность толщины наносимых пленок по площади диаметра 140мм 1σ ≤3%.

Площадь участка: около 27м2 (с классом чистоты производственного помещения 100) и около 10м2 (с классом чистоты производственного помещения 1000).

Участок плазмохимического травления
, где установлены кластерные установки плазмохимического травления, позволяющие производить особо ответственные процессы травления кремния в среде сверхчистой плазмы,в  том числе:

Установка STS VPX для травления слоев алюминиевой металлизации, а также посткоррозионной обработки и снятия фоторезистивной маски.

Установка STS CPX для травления диэлектрических (нитрид кремния, оксид кремния, ФСС и т.д.) и проводящих слоев (кремний, поликремний), кроме того установка обеспечивает процесс сверхглубокого травления кремния, так называемый BOSCH-процесс, который является наиболее важным для технологии формирования МЭМС.

Установки плазменного удаления ФРМ позволяют качественно снять фоторезистивную пленку. Имеется возможность проведения беззарядового удаления ФРМ в плазме.
Установка ионного травления, которая позволяет получить формирование металлизации таких металлов, как платина, железо, хром, никель и др. Равномерность травления по площади диаметра 140мм 1σ ≤3,5%.

Площадь чистой зоны участка около 10м2. Класс чистоты производственных помещений 100.

Участок напыления имеет несколько вакуумных установок, на которых осуществляются операции напыления методами PVD DC проводящих слоев, в том числе магниторезистивных и драгоценных металлов, а также диэлектрических SiO2 и других слоев методами PVD RF на кремниевые пластины диаметром до 150мм.

Равномерность толщины наносимой пленки по площади диаметра 140мм 1σ ≤5%; для магниторезистивных пленок равномерность толщины по такой же площади составляет 1σ ≤1%.

Площадь участка: около 10м2 (с классом чистоты производственного помещения 100) и около 20м2 (с классом чистоты производственных помещений 1000).

Участок ионного легирования, на котором осуществляются операции ионного легирования пластин диаметром до150мм на средних токах.

Возможна имплантация ионов двойного/тройного заряда. При ионах единичного заряда энергия имплантации от 10 до 200keV.
Угол имплантации от 0˚ до 45˚(при комнатных температурах). Дозы:1×1011ат/см2 до 1×1018ат/см2. Неоднородность дозы по всей области имплантации и от пластины к пластине: 1σ ≤1%.

Осуществляется имплантация стандартных ионов: бора, фосфора, мышьяка, аргона и азота.

Площадь участка около 12м2 с классом чистоты производственного помещения 100.
Изменение диаметра и толщины обрабатываемых пластин возможно при замене оснастки и оговаривается с Заказчиком отдельно.
Для осуществления визуального контроля на участках установлены оптические микроскопы c видеокамерой и возможностью линейных измерений. Также на участке фотолитографии установлены микроскопы c ультрафиолетовой камерой высокого разрешения; микроскоп c ультрафиолетовым лазером, обеспечивающий трехмерную визуализацию поверхности с возможностью высокоточных линейных измерений. Для выполнения требований производителей оборудования по уровню допустимых вибраций чистые производственные помещения расположены на развязанном фундаменте.

Гарантией надежности и качества выполняемых работ являются современное оборудование, комплексная инженерная инфраструктура и развитая сеть деловых контактов с партнерскими организациями, такими как ОАО «Ангстрем», ОАО «НИИМЭ и Микрон», ООО «Сименс НИЦ», ФГУП «НПП «Исток», ЗАО «Конструкторское бюро навигационных систем», ОАО «НПП «Радар ММС».

Руководитель Кристального производства:
Зарубин Игорь Михайлович,
(499) 720-6944,
crystal@zntc.ru.